该设计基于难熔HEAs，低压电器固体溶液中掺杂2.0%的氧或氮，(Ta0.5Nb0.5HfZrTi)98O2 和(Ta0.5Nb0.5HfZrTi)98N2。

市场图2Sn1-xPbxSe晶体的电传输特性与温度的关系 (A)电导率σ。(F-H)在300K时，爆棚不同带模型的塞贝克系数(F)、载流子迁移率(G)和功率因数(H)的模拟图与载流子浓度的关系。

通过对其显著的电子和声子带结构的连续操纵，关键SnSe晶体已被证明是优秀的热电材料。(B)从300K到773K，低压电器SnSe的四个价带谷随着温度的升高而动态演变，其中VBM1在每个温度下都是排列的。(C)Sn0.91Pb0.09Se晶体、市场商业BST和p型纯SnTe的单支器件的最大温差ΔTmax。

图6 Sn0.91Pb0.09Se晶体的热电冷却性能 (A,B)样品Sn0.91Pb0.09Se与最先进低温热电材料，爆棚如p型CsBi4Te6、爆棚商业Bi0.5Sb1.5Te3 (BST)、n型Mg3.2Bi1.498Sb0.5Te0.002和商业Bi2Te2.7Se0.3 (BTS)比较PF(A)和ZT型(B)。(I)计算参数μ(m*)3/2作为Pb分数的函数，关键表明Pb合金化对p型SnSe晶体电传输性能的优化。

已经开发了各种提高热电性能的策略，低压电器如工程载流子浓度、低压电器操纵电子能带结构、通过设计多尺度微结构降低热导率、寻求具有本征低热导率的材料，以及解耦电子和声子传输。

市场(D)Sn1–xPbxSe晶体的品质因子B随温度的变化。随着前两组嘉宾的曝光，爆棚第三组嘉宾也在强烈的呼声中终于亮相。

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市场但相关的文献还未报道使用FeS2作为AIBs的全气候电极。爆棚（g）N-C和FeS2之间Al离子的不同电荷密度。